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一种晶体生长坩埚、装置及其生长方法

2022/4/7 9:58:44

一种晶体生长坩埚、装置及其生长方法

【发明专利】  【发明专利申请】  【事务数据】

授权公告号:CN106854773B

授权公告日:2019.05.03

 请  号:2016112435588

 请  日:2016.12.29

同一申请的已公布的文献号:CN106854773A

申请公布日:2017.06.16

利 权人:伯恩露笑蓝宝石有限公司

     址:028000内蒙古自治区通辽市科尔沁区木里图镇工业园区

 明  人:戴锐锋

Int.Cl. C30B11/00(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I

专利代理机构:北京超凡志成知识产权代理事务所普通合伙)11371

 理  人:王闯

对比文件:CN 104499043 A,2015.04.08,;CN 104499043 A,2015.04.08,;CN 202595336 U,2012.12.12,;CN 104911708 A,2015.09.16,;CN 103103622 A,2013.05.15,;CN 103147121 A,2013.06.12,;CN 201873779 U,2011.06.22,;CN 102677168 A,2012.09.19,;CN 101736395 A,2010.06.16,

     要:本发明属于晶体生长技术领域,具体为一种晶体生长坩埚、装置及其生长方法。一种晶体生长坩埚,包括坩埚本体,还包括热交换器。坩埚本体包括侧壁、底壁和坩埚盖,侧壁、底壁和坩埚盖围成为晶体生长提供场所的坩埚室。热交换器穿设于坩埚盖伸入至坩埚室,热交换器伸入至坩埚内的一端设置有籽晶。坩埚本体外环设有加热器。本发明将热交换法、泡生法和提拉法进行结合并提供了一种优化的晶体生长方法,其能减少晶体内部缺陷、降低晶体开裂几率和增加晶体良率。